书目信息 |
| 题名： |
透明氧化物半导体
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| 作者： | 马洪磊 ， 马瑾 著 | |
| 分册： | ||
| 出版信息： | 北京 科学出版社 2014.10 |
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| 页数： | 10,374页，[2]页图版 | |
| 开本： | 25cm | |
| 丛书名： | 半导体科学与技术丛书 | |
| 单 册： | ||
| 中图分类： | TN304.2 | |
| 科图分类： | ||
| 主题词： | 氧化物半导体 | |
| 电子资源： | ||
| ISBN： | 978-7-03-041664-3 | |
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| 透明氧化物半导体/马洪磊，马瑾著.-北京：科学出版社，2014.10 |
| 10,374页，[2]页图版：图；25cm.-(半导体科学与技术丛书) |
| 使用对象：大专院校凝聚态物理、微电子学与固体电子学、光电子学相关专业师生 |
| ISBN 978-7-03-041664-3(精装)：CNY148.00 |
| 本书系统地论述透明氧化物半导体薄膜的制备技术、理论基础，分别阐述已经得到广泛应用或具有重要应用前景的八种典型氧化物半导体薄膜的晶体结构、形貌、缺陷、电子结构、电学性质、磁学性质、压电性质、气敏性质和光催化性质，评述新兴透明氧化物电子学。 |
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| 相关链接 |
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正题名：透明氧化物半导体
索取号：TN304.2/59
预约/预借
| 序号 | 登录号 | 条形码 | 馆藏地/架位号 | 状态 | 备注 |
| 1 | 984034 | 209840341 | 第二样本阅览室/ [索取号:TN304.2/59] | 在馆 | |
| 2 | 984035 | 209840350 | 第三借阅区/ [索取号:TN304.2/59] |
已借出,限还日期为2024.03.16 借出人:王莉 |
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| 3 | 984036 | 209840369 | 第三借阅区/ [索取号:TN304.2/59] | 在馆 |